Samsung do të përdorë procesin 3-nanometër të TSMC-së për çipat e memories HBM të gjeneratës së re të Nvidia-s

Samsung Electronics do të përdorë procesin 3-nanometër të TSMC-së për të prodhuar matricat bazë të çipave të memories me gjerësi të lartë bande (HBM) të personalizuar, të gjeneratës së re të Nvidia-s, siç njofton Reuters duke cituar gazetën Seoul Economic Daily.

Sipas raportimit të Seoul Economic Daily, të publikuar të dielën, ky hap do të shënonte herën e parë që Samsung bashkëpunon me prodhuesin më të madh në botë të çipave me kontratë pikërisht në fazën e prodhimit të HBM-së. Deri më tani, siç thekson gazeta koreane, Samsung i prodhonte vetë të dy përbërësit — matricën thelbësore të memories dhe matricën bazë, që funksionon si gjysmëpërçues sistemi.

Nvidia u ka kërkuar tre furnizuesve të saj — Samsung, SK Hynix dhe Micron Technology — që matricën bazë të NVHBM-së ta prodhojnë me procesin e TSMC-së, ndërsa matrica thelbësore të standardizohet në teknologjinë DRAM të gjeneratës së gjashtë, raporton Seoul Economic Daily duke iu referuar burimeve të industrisë. NVHBM-ja, e prezantuar në gusht, e integron kontrolluesin e personalizuar të memories së Nvidia-s në matricën bazë dhe synon standardizimin e zbatimit te disa furnizues të memories.

Sipas gazetës, arsyeja e kërkesës është se metodat e ndryshme të prodhimit mes furnizuesve e vështirësojnë arritjen e një performance të njëtrajtshme nga një dizajn i vetëm, ndërsa standardizimi e ul edhe barrën e validimit të produkteve veçmas për secilin furnizues. Samsung, pas një shqyrtimi të brendshëm, i ka pranuar kërkesat teknike të Nvidia-s, por planifikon ta ruajë modelin e prodhimit të brendshëm për HBM-në standarde dhe për produktet e personalizuara për klientë të tjerë.

Seoul Economic Daily raporton gjithashtu se Samsung po vlerëson nëse fabrikat e tij mund t’i prodhojnë vetë matricat bazë të NVHBM-së, nëse kërkesa e tejkalon kapacitetin e TSMC-së. NVHBM-ja bazohet në arkitekturën e HBM4E-së, gjenerata e shtatë e memories me gjerësi të lartë bande.